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技術(shù)指標
?反應室數(shù)量：單室;
?極限真空：5.0x10-5Pa(環(huán)境濕度≤55%);
?刻蝕材料：Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等;
?刻蝕速率：50-100 nm/min;
?刻蝕均勻性：≤±5%;
?反應室規(guī)格：φ300x110mm;
?電極尺寸： φ200mm;
?樣品尺寸：6吋單片或小于3吋多片;
?功率源：射頻電源RF1000W一套;功率范圍在50-1000W連續(xù)可調(diào)。
?氣路系統(tǒng)：四臺質(zhì)量流量控制器控制四路進氣（氧氣、氬氣、SF6、CHF3）
?真空測量：復合真空計一臺，測量范圍:1.0x10-5~1.0x10-6Pa；
?恒壓系統(tǒng)：薄膜規(guī)一個，可調(diào)節(jié)閥一套。
 
產(chǎn)品介紹
適用于常規(guī)尺寸樣片(不超過φ6-8英寸)的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻蝕速率快、重復性好等優(yōu)點。