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技術(shù)指標(biāo)
?真空室尺寸：φ300 mm X H 450 mm
?極限真空：優(yōu)于5.0x10-5Pa(經(jīng)烘烤除氣后)
?抽真空時長：30min到5x10-4Pa
?蒸發(fā)源數(shù)量：電阻式蒸發(fā)電極3對
?基片結(jié)構(gòu)：基片可加熱或水冷;加熱最高溫度500°C士1°C;
?蒸距調(diào)整幅度：≤60~150mm(軸向方向);
?基片尺寸：φ30mm-φ100mm;
?均勻性：蒸鍍金屬薄膜厚度在100um范圍內(nèi)保持均勻;
?膜厚控制：有膜厚測量系統(tǒng):
?開啟方式：上翻蓋結(jié)構(gòu)，側(cè)面設(shè)可開啟門，便于換絲及裝料;冷卻水:配備冷卻循環(huán)水系統(tǒng)
 
產(chǎn)品介紹
設(shè)備主要用于真空蒸發(fā)鍍光學(xué)薄膜、低熔點金屬和合金薄膜。特別適合小型企業(yè)、科研單位和高校使用。